參數(shù)資料
型號： IRLL110PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 212K
代理商： IRLL110PBF
IRLL110PbF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
100
–––
–––
0.12
–––
–––
–––
–––
1.0
–––
0.57
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.3
–––
47
–––
16
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
0.54
0.76
2.0
–––
25
250
100
-100
6.1
2.6
3.3
–––
–––
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 5.0V, I
D
= 0.90A
V
GS
= 4.0V, I
D
= 0.75A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 0.90 A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 10V
V
GS
= -10V
I
D
= 5.6A
V
DS
= 80V
V
GS
= 5.0V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 50V
I
D
= 5.6A
R
G
= 12
V/°C
V
S
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time ––– 18 ––– R
D
= 8.4
,
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
nC
ns
nH
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
250
80
15
–––
–––
–––
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤5.6
A, di/dt
≤
75A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Notes:
V
DD
=25V, starting T
J
= 25°C, L = 25 mH
R
G
= 25
, I
AS
= 1.5A. (See Figure 12)
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 1.5A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 5.6A
di/dt = 100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
110
0.50
2.5
130
0.65
V
ns
μC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
–––
–––
–––
12
1.5
A
S
D
G
Between lead, 6mm(0.25in)
from package and center
of die contact.
L
S
Internal Source Inductance
Internal Drain Inductance
L
D
––– 4.0 –––
––– 6.0 –––
Source-Drain Ratings and Characteristics
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