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參數(shù)資料
| 型號： | IRLRU120N |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.185ohm，身份證\u003d 10A條） |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | IRLRU120N |
IRLR/U120N
www.irf.com
5
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
5.0V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0
2
4
6
8
10
25
50
75
100
125
150
175
I
D
T , Case Temperature (°C)
A
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLU120N | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A) |
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參數(shù)描述 |
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