參數(shù)資料
型號: IRLTS6342TRPBF
廠商: International Rectifier
文件頁數(shù): 7/8頁
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描述: MOSF N CH 30V 8.3A TSOP6
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8.3A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 17.5 毫歐 @ 8.3A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.1V @ 10µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1010pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-LSOP(0.063",1.60mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: IRLTS6342TRPBFDKR