參數(shù)資料
型號(hào)： IRLU014NPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.14ヘ , ID = 10A )
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的RDS（on）\u003d 0.14ヘ，身份證\u003d 10A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 286K
代理商： IRLU014NPBF
2
www.irf.com
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 6A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 6A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
37
48
1.3
56
71
V
nS
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
10
40
&
Starting T
J
= 25°C, L = 1.96mH
R
G
= 25
, I
AS
= 6A. (See Figure 12)
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
This is applied for I-PAK, L
S
of D-PAK is measured between
lead and center of die contact
I
SD
≤
6.0A, di/dt
≤
210A/μs, V
DD
≤
V
,
T
J
≤
175°C
Notes:
Parameter
Min.
55
–––
–––
–––
1.0
3.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.056 –––
–––
0.14
–––
0.21
–––
–––
–––
–––
–––
25
–––
250
–––
100
–––
-100
–––
7.9
–––
1.4
–––
4.4
6.5
–––
47
–––
12
–––
23
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 6A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 6A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 6A
V
DS
= 44V
V
GS
= 5.0V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 28V
I
D
= 6A
R
G
= 6.2
,
V
GS
= 5.0V
R
D
= 4.5
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
ns
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
265
80
38
–––
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
nH
I
GSS
S
D
G
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
L
D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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PDF描述
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IRLU020 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-251
IRLU024 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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