參數(shù)資料
型號： IRLU2705PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 268K
代理商： IRLU2705PBF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
0
50
100
150
200
250
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 6.6A
11A
BOTTOM 16A
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR2905PBF HEXFET Power MOSFET
IRLU2905PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR2905ZPBF HEXFET Power MOSFET
IRLU2905ZPbF HEXFET Power MOSFET
IRLR2905Z AUTOMOTIVE MOSFET
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參數(shù)描述
IRLU2905 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLU2905HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 42A 3-Pin(3+Tab) IPAK
IRLU2905PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.027Ohm;ID 42A;I-Pak (TO-251AA);PD 110W 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 42A 3-Pin(3+Tab) IPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 42A 3PIN IPAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 42A 3-Pin(3+Tab) IPAK Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 55V 36A I-PAK
IRLU2905Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLU2905ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 60A 13.5mOhm 23nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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