參數(shù)資料
型號(hào): IRLU3717PBF
廠商: International Rectifier
文件頁數(shù): 1/12頁
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描述: MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
產(chǎn)品目錄繪圖: IR Hexfet IPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 75
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 120A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4 毫歐 @ 15A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.45V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2830pF @ 10V
功率 - 最大: 89W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: I-Pak
包裝: 管件
產(chǎn)品目錄頁面: 1520 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: *IRLU3717PBF