- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377551 > IS42S32200C1-55TL (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32200C1-55TL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 27/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 623K |
| 代理商： | IS42S32200C1-55TL |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁當(dāng)前第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁
IS42S32200C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00E
05/18/06
27
DON'T CARE
CLK
DQM
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
WRITE
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
BANK a,
COL n
BANK a,
ROW
BANK
(a or all)
t
WR
t
RP
PRECHARGE
D
IN
n
D
IN
n+1
WRITE to PRECHARGE
(t
WR
=
1 CLK (t
CK
≥
t
WR
)
DON'T CARE
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
WRITE
NOP
READ
NOP
NOP
NOP
D
IN
n
D
IN
n+1
D
OUT
b
D
OUT
b+1
BANK,
COL n
BANK,
COL b
WRITE to READ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32200C1-6BL | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6TI | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6TL | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6TLI | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32200C1-55TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-55T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-6BL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6BLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin Mini-BGA |
| IS42S32200C1-6T | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64M 2Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。