參數(shù)資料
型號: IS42S32200C1-6BL
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述: 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90
封裝: 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-90
文件頁數(shù): 59/59頁
文件大小: 623K
代理商: IS42S32200C1-6BL
PACKAGING INFORMATION
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. C
01/28/02
1
Plastic TSOP 54–Pin, 86-Pin
Package Code: T (Type II)
Plastic TSOP (T - Type II)
Millimeters
Min
Max
Inches
Min
Symbol
Ref. Std.
No. Leads (N)
Max
54
A
A1
A2
b
C
D
E1
E
e
L
L1
0.05
0.30
0.12
22.02 22.42
10.03 10.29
11.56 11.96
0.80 BSC
0.40
1.20
0.15
0.45
0.21
0.002
0.012
0.005
0.867
0.395
0.455
0.031 BSC
0.016
0.047
0.006
0.018
0.0083
0.8827
0.405
0.471
0.60
0.024
ZD 0.71 REF
α
D
SEATING PLANE
b
e
C
1
N/2
N/2+1
N
E1
A1
A
E
L
α
ZD
Notes:
1. Controlling dimension: millimieters,
unless otherwise specified.
2. BSC = Basic lead spacing between
centers.
3. Dimensions D and E1 do not include
mold flash protrusions and
should be
measured from the bottom of the
package
.
4. Formed leads shall be planar with
respect to one another within 0.004
inches at the seating plane.
Plastic TSOP (T - Type II)
Millimeters
Min
Max
Inches
Min
Symbol
Ref. Std.
No. Leads (N)
Max
86
A
A1
A2
b
C
D
E1
E
e
L
L1
0.05
0.95
0.17
0.12
22.02 22.42
10.16 BSC
11.56 11.96
0.50 BSC
0.40
0.80 REF
1.20
0.15
1.05
0.27
0.21
0.002
0.037
0.007
0.005
0.867
0.400 BSC
0.455
0.020 BSC
0.016
0.031 REF
0.047
0.006
0.041
0.011
0.008
0.8827
0.471
0.60
0.024
ZD 0.61 REF 0.024 BSC
α
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S32200C1-6T 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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IS42S32200C1-6TLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M (2Mx32) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube