參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S32200C1-7BI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90
封裝： 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, FBGA-90
文件頁(yè)數(shù)： 35/59頁(yè)
文件大?。?/td> 623K
代理商： IS42S32200C1-7BI
IS42S32200C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00E
05/18/06
35
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(1,2,3)
-55
-6
-7
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Units
t
CK3
t
CK2
Clock Cycle Time
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
5.5
10
—
—
6
10
—
—
7
10
—
ns
ns
—
t
AC3
t
AC2
Access Time From CLK
(4)
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
—
—
5
—
—
5.5
7.5
—
—
5.5
8
ns
ns
7.5
t
CH
CLK HIGH Level Width
2
—
2
—
2.5
—
ns
t
CL
CLK LOW Level Width
2
—
2
—
2.5
—
ns
t
OH
Output Data Hold Time
2
—
2
—
2.5
—
ns
t
LZ
Output LOW Impedance Time
0
—
0
—
0
—
ns
t
HZ3
t
HZ2
Output HIGH Impedance Time
(5)
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
—
—
5.0
7.5
—
—
5.5
7.5
—
—
5.5
8
ns
ns
t
DS
Input Data Setup Time
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
t
DH
Input Data Hold Time
0.8
—
0.8
—
0.8
—
ns
t
AS
Address Setup Time
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
t
AH
Address Hold Time
0.8
—
0.8
—
0.8
—
ns
t
CKS
CKE Setup Time
1
—
1
—
1
—
ns
t
CKH
CKE Hold Time
0.8
—
0.8
—
0.8
—
ns
t
CKA
CKE to CLK Recovery Delay Time
1CLK+3
—
1CLK+3
—
1CLK+3
—
ns
t
CS
Command Setup Time (
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, DQM)
1.5
—
1.5
—
2
—
ns
t
CH
Command Hold Time (
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, DQM)
0.8
—
0.8
—
1
—
ns
t
RC
Command Period (REF to REF / ACT to ACT)
55
—
60
—
63
—
ns
t
RAS
Command Period (ACT to PRE)
38.7
120K
38.7
120K
38.7
120K
ns
t
RP
Command Period (PRE to ACT)
16.5
—
18
—
20
—
ns
t
RCD
Active Command To Read / Write Command Delay Time
16.5
—
18
—
20
—
ns
t
RRD
Command Period (ACT [0] to ACT[1])
11
—
12
—
14
—
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S32200C1-7BL 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-7BLI 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-7T 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-7TI 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-7TL 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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參數(shù)描述
IS42S32200C1-7BI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32200C1-7BL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32200C1-7BLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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