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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32200C1-7TL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 14/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 623K |
| 代理商： | IS42S32200C1-7TL |
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IS42S32200C1
ISSI
14
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00E
05/18/06
REGISTER DEFINITION
Mode Register
The mode register is used to define the specific mode of
operation of the SDRAM. This definition includes the
selection of a burst length, a burst type, a CAS\ latency,
an operating mode and a write burst mode, as shown in
MODE REGISTER DEFINITION.
The mode register is programmed via the LOAD MODE
REGISTER command and will retain the stored information
until it is programmed again or the device loses power.
Mode register bits M0-M2 specify the burst length, M3
specifies the type of burst
(sequential or interleaved)
, M4- M6
specify the CAS latency, M7 and M8 specify the operating
mode, M9 specifies the WRITE burst mode, and M10 and
M11 and M12 are reserved for future use.
The mode register must be loaded when all banks are idle,
and the controller must wait the specified time before
initiating the subsequent operation. Violating either of
these requirements will result in unspecified operation.
MODE REGISTER DEFINITION
Latency Mode
M6 M5 M4 CAS Latency
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
Reserved
Reserved
2
3
Reserved
Reserved
Reserved
Reserved
Write Burst Mode
M9
0
1
Mode
Burst Write
Single-Bit Write
MRS
M8 M7
0
—
MRS
Mode Register Set
All Other States Reserved
0
—
Burst Type
M3 Type
0
1
Sequential
Interleaved
Burst Length
M2 M1 M0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
0
1
0
1
1
1
1
Sequential
1
2
4
8
Reserved
Reserved
Reserved
Full Page
Interleave
1
2
4
8
Reserved
Reserved
Reserved
Reserved
0
1
0
1
0
1
0
1
Address Bus
BA0,1
A10/AP
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
(1)
0
0
(1)
Note:
1. Maintain low during Mode Register Set.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32200C1-7TLI | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200 | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200-6T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200-6TI | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200-7T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32200C1-7TLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-7TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-7TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-7T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200E | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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