- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377551 > IS42S32400B-6B (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32400B-6B |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| 封裝： | FBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 59/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 644K |
| 代理商： | IS42S32400B-6B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁當前第59頁第60頁
PACKAGING INFORMATION
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
10/06/05
Copyright 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.
Mini Ball Grid Array
Package Code: B (90-Ball)
mBGA - 8mm x 13mm
MILLIMETERS
INCHES
Sym. Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
N0.
Leads
90
A
A1
D
D1
E
E1
—
—
0.35
13.00 13.10
11.20
8.00
6.40
1.20
0.40
—
—
0.047
0.016
0.516
—
0.319
—
0.30
12.90
—
7.90
—
0.012 0.014
0.508 0.512
—
0.311 0.315
—
—
8.10
—
0.441
0.252
e
—
0.80
—
—
0.031
—
9 8 7 6 5 4 3 2 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
0.45 +
0.10/0.05
(90X)
D
e
e
A1
SEATING PLANE
A
D1
E1
E
Notes:
1. Controlling dimensions are in millimeters.
2. 0.8 mm Ball Pitch
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32400B-6BL | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6T | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6TI | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6TL | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6TLI | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32400B-6BL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 4Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32400B-6BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 166MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32400B-6B-TR | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90FBGA |
| IS42S32400B-6T | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP |
| IS42S32400B-6TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。