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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32400B-6BL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| 封裝： | LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 39/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 644K |
| 代理商： | IS42S32400B-6BL |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00G
06/15/06
39
ISSI
IS42S32400B
DON'T CARE
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
WRITE
NOP
READ
NOP
NOP
NOP
D
IN
n
D
IN
n+1
D
OUT
b
D
OUT
b+1
BANK,
COL n
BANK,
COL b
CAS Latency - 2
WRITE to READ
WP1 - WRITE to PRECHARGE
DON'T CARE
CLK
DQM
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
WRITE
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
BANK a,
COL n
BANK a,
ROW
BANK
(a or all)
t
DPL
t
RP
PRECHARGE
D
IN
n
D
IN
n+1
D
IN
n+2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32400B-6T | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6TI | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6TL | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6TLI | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-7B | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32400B-6BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 166MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32400B-6B-TR | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90FBGA |
| IS42S32400B-6T | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP |
| IS42S32400B-6TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 166MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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