參數(shù)資料
型號: IS42S32400B-7TLI
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述: 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO86
封裝: LEAD FREE, TSOP2-86
文件頁數(shù): 43/60頁
文件大?。?/td> 644K
代理商: IS42S32400B-7TLI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00G
06/15/06
43
ISSI
IS42S32400B
ALTERNATING BANK WRITE ACCESSES
BANK 0
BANK 1
BANK 1
BANK 0
DON'T CARE
CLK
CKE
COMMAND
DQM0 - DQM3
A0-A9, A11
A10
BA0, BA1
DQ
t
CMS
t
CMH
t
AS
t
AH
t
AS
t
AH
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
RCD
- BANK 0
t
RRD
t
RCD
- BANK 0
t
DPL
- BANK 1
t
RAS
- BANK 0
t
RC
- BANK 0
t
CH
t
CL
t
CK
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
CMS
t
CMH
t
CKS
t
CKH
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
NOP
ACTIVE
D
IN
m
D
IN
m+
1
D
IN
m+
2
D
IN
m+
3
D
IN
b
D
IN
b+
1
t
RP
- BANK 0
D
IN
b+
2
D
IN
b+
3
ROW
ROW
BANK 0
ROW
ROW
t
RCD
- BANK 1
t
DPL
- BANK 0
COLUMN m
(2)
ROW
COLUMN b
(2)
ROW
ENABLE AUTO PRECHARGE
ENABLE AUTO PRECHARGE
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
Notes:
1) Burst Length = 4
2) X32: A8, A9, A11 = "Don't Care"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S32400B 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S32400B-6B 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S32400B-6BL 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S32400B-6T 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
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參數(shù)描述
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IS42S32400B-7TLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 143MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32400B-7TL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 143MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32400B-7T-TR 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 86TSOP
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