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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42S32400B |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 4Meg × 32 128兆位同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/60頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 644K |
| 代理商： | IS42S32400B |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00G
06/15/06
15
ISSI
IS42S32400B
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS 1
(Recommended Operation Conditions unless otherwise noted.)
Symbol
I
DD1
(1)
Parameter
Operating Current
Test Condition
One bank active, CL = 3, BL = 1,
t
CLK
= t
CLK
(min), t
RC
= t
RC
(min)
CKE
≤
V
IL
(
MAX
), t
CK
= 15ns
-6
140
-7
120
Unit
mA
I
DD2P
Precharge Standby Current
(In Power-Down Mode)
Precharge Standby Current
(In Power-Down Mode)
Precharge Standby Current
(In Non Power-Down Mode)
Precharge Standby Current
(In Non Power-Down Mode)
Active Standby Current
(In Non Power-Down Mode)
Active Standby Current
(In Non Power-Down Mode)
Operating Current
2
2
mA
I
DD2PS
CKE
≤
V
IL
(
MAX
), CLK
≤
V
IL
(
MAX
)
1
1
mA
I
DD2N
(2)
CS
≥
Vcc - 0.2V, CKE
≥
V
IH
(
MIN
)
t
CK
= 15ns
CS
≥
Vcc - 0.2V, CKE
≥
V
IH
(
MIN
) or
CKE
≤
V
IL
(
MAX
), All nputs stable
CS
≥
Vcc - 0.2V, CKE
≥
V
IH
(
MIN
)
t
CK
= 15ns
CS
≥
Vcc - 0.2V, CKE
≥
V
IH
(
MIN
) or
CKE
≤
V
IL
(
MAX
), All nputs stable
All banks active, BL = 4, CL = 3,
t
CK
= t
CK
(min)
t
RC
= t
RC
(min), t
CLK
= t
CLK
(min)
CKE
≤
0.2V
25
25
mA
I
DD2NS
15
15
mA
I
DD3N
(2)
30
30
mA
I
DD3NS
20
20
mA
I
DD4
180
130
mA
I
DD5
I
DD6
Auto-Refresh Current
Self-Refresh Current
180
2
160
2
mA
mA
Notes:
1. I
DD
(
MAX
) is specified at the output open condition.
2. Input signals are changed one time during 30ns.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS 2
(Recommended Operation Conditions unless otherwise noted.)
Symbol
I
IL
Parameter
Input Leakage Current
Test Condition
0V
≤
Vin
≤
Vcc, with pins other than
the tested pin at 0V
Output is disabled, 0V
≤
Vout
≤
Vcc,
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2mA
Min
-10
Max
10
Unit
μ
A
I
OL
V
OH
V
OL
Output Leakage Current
Output High Voltage Level
Output Low Voltage Level
-5
2.4
—
5
—
0.4
μ
A
V
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32400B-6B | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6BL | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6T | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6TI | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6TL | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32400B-6B | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90FBGA |
| IS42S32400B-6BL | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 4Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32400B-6BL-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 166MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32400B-6B-TR | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90FBGA |
| IS42S32400B-6T | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP |
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