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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32800B-6TLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 10/62頁 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | IS42S32800B-6TLI |
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10
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
ISSI
IS42S32800B
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
WRITE B
NOP
NOP
DQM
COMMAND
DQ’s
NOP
DOUT A
DINB2
DINB1
DINB0
Must be Hi-Z before
the Write Command
: "H" or "L"
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
DQM
COMMAND
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
ABANKA
DIN A 0
DIN A 1
DIN A 2
DIN A 3
1 Clk Interval
CAS# latency=2
tCK2, DQs
READ A
WRITEA
: "H" or "L"
NOP
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
DQM
COMMAND
NOP
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DIN B3
CAS# latency=2
tCK2, DQ’s
NOP
NOP
: "H" or "L"
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
WRITEB
Read to Write Interval (Burst Length = 4,CAS#Latency =3)
Read to Write Interval (Burst Length = 4,CAS#Latency =2)
Read to Write Interval (Burst Length = 4,CAS#Latency =2)
A read burst without the auto precharge function may be interrupted by a BankPrecharge/
PrechargeAll command to the same bank.The following figure shows the optimum time that
BankPrecharge/PrechargeAll command is issued in different CAS#latency.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-7B | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7BI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7BL | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7BLI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7T | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-6TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (8Mx32) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7B | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7BI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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