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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32800B-7BI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, MO-207, BGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 21/62頁 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | IS42S32800B-7BI |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
21
ISSI
IS42S32800B
- 6/7
Max.
Description/Test condition
Symbol
Unit
Note
Operating Current
t
RC
≥
t
RC
(min), Outputs Open, Input
signal one transition per one cycle
Precharge Standby Current in power down mode
t
CK
= 15ns, CKE
≤
V
IL
(max)
Precharge Standby Current in power down mode
t
CK
=
∞
, CKE
≤
V
IL
(max)
Precharge Standby Current in non-power down mode
t
CK
= 15ns, CS#
≥
V
IH
(min), CKE
≥
V
Input signals are changed once during 30ns.
Precharge Standby Current in non-power down mode
t
CK
=
∞
, CLK
≤
V
IL
(max), CKE
≥
V
IH
Active Standby Current in power down mode
C KE
≤
V
IL
(max), t
CK
= 15ns
Active Standby Current in power down mode
CKE& CLK
≤
V
IL
(max), t
CK
=
∞
Active Standby Current in non-power down mode
CKE
≥
V
IH
(min), CS#
≥
V
IH
(min), t
CK
= 15ns
Active Standby Current in non-power down mode
CKE
≥
V
IH
(min), CLK
≤
V
IL
(max), t
CK
=
∞
Operating Current (Burst mode)
t
CK
=t
CK
(min),
Outputs Open, Multi-bank interleave
Refresh Current
t
RC
≥
t
RC
(min)
Self Refresh Current
C KE
≤
0.2V
1 bank
operation
I
CC1
135/125
3
I
CC2P
3
I
CC2PS
2
I
CC2N
20
3
I
CC2NS
9
I
CC3P
4
mA
3
I
CC3PS
3
I
CC3N
45
I
CC3NS
30
I
CC4
180/150
3, 4
I
CC5
300/270
3
I
CC6
1 (L-Version)
3
Parameter
Description
Min.
Max.
Unit
Note
I
IL
Input Leakage Current
(0V
≤
V
IN
≤
V
DD
, All other pins not under test = 0V )
Output Leakage Current
(0V
≤
V
OUT
≤
V
DD
, DQ disable )
- 1
+ 1
μ
A
I
OL
2.4
V
V
OH
LVTTL Output "H" Level Voltage
( I
OUT
= -2mA )
LVTTL Output "L" Level Voltage
( I
OUT
= 2mA )
3
3
V
OL
0.4
V
- 1.5
+ 1.5
μ
A
D.C.
Electrical Characteristics (Recommended
Operating Conditions
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-7BL | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7BLI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7T | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7TI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7TL | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-7BI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7BL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7BLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7BLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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