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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42S32800B-7TI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 6/62頁 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | IS42S32800B-7TI |
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6
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
ISSI
IS42S32800B
Operation Mode
Fully synchronous operations are performed to latch the commands at the positive edges of CLK.Table 2 shows the truth
table for the operation commands.
Table 2.Truth Table (Note (1),(2))
Note:
1. V =Valid,X =Don ’t care,L =Logic low,H =Logic high
2. CKEn signal is input level when commands are provided.
CKEn-1 signal is input level one clock cycle before the commands are provided.
3. These are states of bank designated by BS signal.
4. Device state is 1,2,4,8,and full page burst operation.
5. Power Down Mode can not enter in the burst operation.
When this command is asserted in the burst cycle,device state is clock suspend mode.
6. DQM0-3
Command
BankActivate
BankPrecharge
PrechargeAll
Write
Write and Auto Precharge Active
(3)
State
Idle
(3)
Any
Any
Active
(3)
CKEn-1 CKE
H
H
H
H
H
DQM
(6)
X
X
X
X
X
BS0,1
V
V
X
V
V
A10
Row address
L
H
L
H
(A0 ~A7)
A11,A9-0
CS# RAS# CAS# WE#
L
L
L
L
L
L
L
H
L
H
X
X
X
X
X
H
H
H
L
L
H
L
L
L
L
X
X
Read
Read and Autoprecharge
Active
(3)
Active
(3)
H
H
X
X
X
X
V
V
L
H
L
H
H
L
L
H
H
L
Mode Register
No-Operation
Burst Stop
Device Deselect
AutoRefresh
SelfRefresh Entry
SelfRefresh Exit
Set Idle
Any
Active
(4)
Any
Idle
Idle
Idle
(SelfRefresh)
H
H
H
H
H
H
L
X
X
X
X
H
L
H
X
X
X
X
X
X
X
OP code
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
L
L
H
L
X
H
L
X
H
L
X
X
L
H
H
X
L
L
X
H
X
X
H
X
X
H
X
X
L
H
H
X
L
L
X
H
X
X
H
X
X
H
X
X
L
H
L
X
H
H
X
H
X
X
H
X
X
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
Clock Suspend Mode Entry Active
Power Down Mode Entry
H
H
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
Any
(5)
Clock Suspend Mode Exit
Power Down Mode Exit
Active
Any
(PowerDown)
Active
L
L
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
Data Write/Output Enable
Data Mask/Output Disable Active
H
H
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
Column
address
Column
address
(A0 ~A7)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-7TL | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7TLI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S83200A | 256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42S83200A-75T | 256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42S83200A-75TL | 256 Mb Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-7TI-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B7TL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42S32800B-7TL | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7TLI | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7TLI-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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