參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S32800B-7TL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86
封裝： 0.400 INCH, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86
文件頁(yè)數(shù)： 18/62頁(yè)
文件大?。?/td> 939K
代理商： IS42S32800B-7TL
18
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
ISSI
IS42S32800B
Test Mode field (A8~A7)
These two bits are used to enter the test mode and must be programmed to “00”in normal operation.
This bit is used to select the burst write length.
A9
Write Burst Length
0
Burst
1
Single Bit
Write Burst Length (A9)
8
No-Operation command
(RAS#=”H”,CAS#=”H”,WE#=”H”)
The No-Operation command is used to perform a NOP to the SDRAM which is selected (CS#
is Low).This prevents unwanted commands from being registered during idle or wait states.
Burst Stop command
(RAS#=”H”,CAS#=”H”,WE#=”L”)
The Burst Stop command is used to terminate either fixed-length or full-page bursts.This
command is only effective in a read/write burst without the auto precharge function.The terminated
read burst ends after a delay equal to the CAS#latency (refer to the following figure).The
termination of a write burst is shown in the following figure.
9
Termination of a Burst Read Operation (Burst Length
> 4
,CAS#Latency =2,3)
Termination of a Burst Write Operation (Burst Length =X)
CLK
COMMAND
T0
T 1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T
8
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS# latency=2
tCK2,DQ’s
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A
3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A
3
CAS# latency=3
tCK3,DQ’s
The Burst ends after a delay equal to the CAS# latency.
Burst Stop
CLK
COMMAN D
T0
T 1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T
8
NOP
WRITE A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Burst Stop
CAS# latency=2,3
DQ’s
DIN A0
DIN A1
DIN A2
don’t care
Input Data for the Write is masked.
A8
0
0
1
A7
0
1
X
Test Mode
normal mode
Vendor Use Only
Vendor Use Only
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S32800B-7TLI 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S83200A 256 Mb Synchronous DRAM
IS42S83200A-75T 256 Mb Synchronous DRAM
IS42S83200A-75TL 256 Mb Synchronous DRAM
IS42VS16100C1-10TLI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S32800B-7TLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32800B-7TLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32800B-7TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32800B-7T-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32800D 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8M x 32 256Mb SYNCHRONOUS DRAM
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