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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42S81600A-10TL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/65頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 556K |
| 代理商： | IS42S81600A-10TL |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
3
ADVANCEDINFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
ISSI
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
VDD
I/O0
VDDQ
NC
I/O1
VSSQ
NC
I/O2
VDDQ
NC
I/O3
VSSQ
NC
VDD
NC
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
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40
39
38
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35
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33
32
31
30
29
28
VSS
I/O7
VSSQ
NC
I/O6
VDDQ
NC
I/O5
VSSQ
NC
I/O4
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
PIN CONFIGURATIONS
54 pin TSOP - Type II for x8
PIN DESCRIPTIONS
A0-A11
Row Address Input
A0-A8, A10
Column Address Input
BA0, BA1
Bank Select Address
I/O0 to I/O7
Data I/O
CLK
System Clock Input
CKE
Clock Enable
CS
Chip Select
RAS
Row Address Strobe Command
CAS
Column Address Strobe Command
WE
Write Enable
DQM
x 8 Lower Bye, Input/Output Mask
VDD
Power
Vss
Ground
VDDQ
Power Supply for I/O Pin
VssQ
Ground for I/O Pin
NC
No Connection
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S81600A-6T | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600A-6TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600A-7T | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S81600A-6T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600A-6TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
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