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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S81600B-7T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 16/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | IS42S81600B-7T |
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ISSI
16
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
05/01/06
IS42S81600B, IS42S16800B
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(1,2,3)
-6
Max.
-7
-75E
Symbol
Parameter
Min.
Min.
Max.
Min.
Max.
Units
t
CK3
t
CK2
Clock Cycle Time
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
6
—
—
—
7
—
—
—
7.5
—
—
ns
ns
10
t
AC3
t
AC2
Access Time From CLK
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
—
—
5.4
—
—
—
5.4
6
—
—
—
6
ns
ns
t
CHI
CLK HIGH Level Width
2.5
—
2.5
—
2.5
—
ns
t
CL
CLK LOW Level Width
2.5
—
2.5
—
2.5
—
ns
t
OH3
t
OH2
Output Data Hold Time
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
2.7
—
—
—
2.7
2.7
—
—
—
2.7
—
—
ns
ns
t
LZ
Output LOW Impedance Time
0
—
0
—
0
—
ns
t
HZ
Output HIGH Impedance Time
2.7
5.4
2.7
5.4
2.7
5.4
ns
t
DS
Input Data Setup Time
(2)
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
t
DH
Input Data Hold Time
(2)
0.8
—
0.8
—
0.8
—
ns
t
AS
Address Setup Time
(2)
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
t
AH
Address Hold Time
(2)
0.8
—
0.8
—
0.8
—
ns
t
CKS
CKE Setup Time
(2)
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
t
CKH
CKE Hold Time
(2)
0.8
—
0.8
—
0.8
—
ns
t
CS
Command Setup Time (
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, DQM)
(2)
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
t
CH
Command Hold Time (
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, DQM)
(2)
0.8
—
0.8
—
0.8
—
ns
t
RC
Command Period (REF to REF / ACT to ACT)
60
—
67.5
—
67.5
—
ns
t
RAS
Command Period (ACT to PRE)
42
100K
45
100K
45
100K
ns
t
RP
Command Period (PRE to ACT)
18
—
20
—
20
—
ns
t
RCD
Active Command To Read / Write Command Delay Time 15
—
20
—
20
—
ns
t
RRD
Command Period (ACT [0] to ACT[1])
12
—
14
—
14
—
ns
t
DPL
Input Data To Precharge
Command Delay time
12
—
14
—
14
—
ns
t
DAL
Input Data To Active / Refresh
Command Delay time (During Auto-Precharge)
27
—
35
—
35
—
ns
t
MRD
Mode Register Program Time
12
—
15
—
15
—
ns
t
DDE
Power Down Exit Setup Time
6
—
7.5
—
7.5
—
ns
t
SRX
Self-Refresh Exit Time
6
—
7.5
—
7.5
—
ns
t
T
Transition Time
1
10
1
10
1
10
ns
t
REF
Notes:
1. The power-on sequence must be executed before starting memory operation.
2. Measured with t
T
= 1 ns. If clock rising time is longer than 1ns, (t
R
/2 - 0.5) ns should be added to the parameter.
3.
The reference level is 1.4V when measuring input signal timing. Rise and fall times are measured between V
IH
(min.) and V
IL
(max).
Refresh Cycle Time (4096)
—
64
—
64
—
64
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S81600B-7TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7TLI | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32200B | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200B-6T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S81600B-7TI | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600B-7TI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600B-7TL | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600B-7TLI | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600B-7TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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