參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S81600B-7TL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述： 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 17/60頁(yè)
文件大小： 585K
代理商： IS42S81600B-7TL
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
05/01/06
17
ISSI
IS42S81600B, IS42S16800B
OPERATING FREQUENCY / LATENCY RELATIONSHIPS
SYMBOL PARAMETER
UNITS
—
Clock Cycle Time
6
7
7.5
10
ns
—
Operating Frequency (
CAS
Latency = 3)
167
143
133
100
MHz
t
CAC
CAS
Latency
3
3
2
2
cycle
t
RCD
Active Command To Read/Write Command Delay Time
3
3
3
2
cycle
t
RAC
RAS
Latency (t
RCD
+ t
CAC
)
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
6
—
6
—
—
5
—
4
cycle
t
RC
Command Period (REF to REF / ACT to ACT)
10
10
9
7
cycle
t
RAS
Command Period (ACT to PRE)
7
7
6
5
cycle
t
RP
Command Period (PRE to ACT)
3
3
3
2
cycle
t
RRD
Command Period (ACT[0] to ACT [1])
2
2
2
2
cycle
t
CCD
Column Command Delay Time
(READ, READA, WRIT, WRITA)
1
1
1
1
cycle
t
DPL
Input Data To Precharge Command Delay Time
2
2
2
2
cycle
t
DAL
Input Data To Active/Refresh Command Delay Time
(During Auto-Precharge)
5
5
5
4
cycle
t
RBD
Burst Stop Command To Output in HIGH-Z Delay Time
(Read)
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
3
—
3
—
—
2
—
2
cycle
t
WBD
Burst Stop Command To Input in Invalid Delay Time
(Write)
0
0
0
0
cycle
t
RQL
Precharge Command To Output in HIGH-Z Delay Time
(Read)
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
3
—
3
—
—
2
—
2
cycle
t
WDL
Precharge Command To Input in Invalid Delay Time
(Write)
0
0
0
0
cycle
t
PQL
Last Output To Auto-Precharge Start Time (Read)
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
-2
—
–2
—
—
-1
—
-1
cycle
t
QMD
DQM To Output Delay Time (Read)
2
2
2
2
cycle
t
DMD
DQM To Input Delay Time (Write)
0
0
0
0
cycle
t
MRD
Mode Register Set To Command Delay Time
2
2
2
2
cycle
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S81600B-7TLI 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S32200B 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200B-6T 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200B-6TI 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200B-6TL 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S81600B-7TLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S81600B-7TLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S81600B-7TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S81600B-7T-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S81600D 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
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