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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42S83200A-75TL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256 Mb Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 18/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 603K |
| 代理商： | IS42S83200A-75TL |
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18
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. D
11/01/05
ISSI
IS42S83200A
(4-bank x 8,388,608 - word x 8-bit)
IS42S16160A
(4-bank x 4,194,304 - word x 16-bit)
BURST INTERRUPTION
[ Read Interrupted by Read ]
Burst read operation can be interrupted by new read of any bank. Random column access is allowed
READ to READ interval is minimum 1 CLK..
Read interrupted by Read (CL=2, BL=4)
CLK
Command
A0-9,11-12
A10
BA0-1
DQ
READ
Yb
0
00
Qc0
Qc1
Qc2
Qc3
READ
Ya
0
00
Qa0
Qa1
Qa2
Qb0
READ
Yc
0
10
[ Read Interrupted by Write ]
Burst read operation can be interrupted by write of any bank. Random column access is allowed. In this case, the
DQ should be controlled adequately by using the DQM to prevent the bus contention. The output is disabled
automatically 2 cycle after WRITE assertion.
Read interrupted by Write (CL=2, BL=4)
CLK
Command
A0-9,11-12
A10
BA0-1
DQM
DQ
ACT
Xa
Xa
00
READ
Ya
0
00
Qa0
Da0
Da1
Da2
Write
Ya
0
00
Da3
Output disable by DQM
by WRITE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42VS16100C1-10TLI | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1-10T | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1-10TI | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1-10TL | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S83200B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S83200B-6T | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S83200B-6TL | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S83200B-6TLI | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (32Mx8) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S83200B-6TLI-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (32Mx8) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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