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參數(shù)資料
| 型號： | IS42VS16100C1-10TLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-24, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 26/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 772K |
| 代理商： | IS42VS16100C1-10TLI |
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IS42VS16100C1
ISSI
26
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00A
04/15/05
Read With Auto-Precharge
The read with auto-precharge command first executes a
burst read operation and then puts the selected bank in the
precharged state automatically. After the precharge com-
pletes, the bank goes to the idle state. Thus this command
performs a read command and a precharge command in a
single operation.
During this operation, the delay period (t
PQL
) between the
last burst data output and the start of the precharge
operation differs depending on the
CAS
latency setting.
When the
CAS
latency setting is two, the precharge
operation starts on one clock cycle before the last burst
data is output (t
PQL
= –1). When the
CAS
latency setting is
three, the precharge operation starts on two clock cycles
before the last burst data is output (t
PQL
= –2). Therefore,
the selected bank can be made active after a delay of t
RP
from the start position of this precharge operation.
The selected bank must be set to the active state before
executing this command.
The auto-precharge function is invalid if the burst length is
set to full page.
CAS
Latency
t
PQL
3
2
–2
–1
COMMAND
DQ
CLK
t
RP
t
PQL
READA 0
ACT 0
PRECHARGE START
READ WITH AUTO-PRECHARGE
(BANK 0)
D
OUT
0
D
OUT
1
D
OUT
2
D
OUT
3
COMMAND
DQ
CLK
READA 0
ACT 0
t
RP
PRECHARGE START
READ WITH AUTO-PRECHARGE
(BANK 0)
t
PQL
D
OUT
0
D
OUT
1
D
OUT
2
D
OUT
3
CAS
latency = 2, burstlength = 4
CAS
latency = 3, burstlength = 4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42VS16100C1 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1-10T | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1-10TI | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IS42VS16100C1-10TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100C1-10T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100E-10TL | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M (1Mx16) 100MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42VS16100E-10TLI | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M (1Mx16) 100MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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