型號(hào): | IS42VS16400C1-12T |
廠商: | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
元件分類(lèi): | DRAM |
英文描述: | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
中文描述: | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 9 ns, PDSO54 |
封裝: | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
文件頁(yè)數(shù): | 7/56頁(yè) |
文件大?。?/td> | 509K |
代理商: | IS42VS16400C1-12T |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IS42VS16400C1-12TI | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
IS42VS16400C1-12TL | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
IS42VS16400C1-12TLI | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
IS43R16160A-5T | 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM |
IS43R16160A-5TL | 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IS42VS16400C1-12TI | 制造商:ISSI 制造商全稱(chēng):Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
IS42VS16400C1-12TL | 制造商:ISSI 制造商全稱(chēng):Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
IS42VS16400C1-12TLI | 制造商:ISSI 制造商全稱(chēng):Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
IS42VS16400E-10TL | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M (4Mx16) 100MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
IS42VS16400E-10TLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |