參數(shù)資料
型號(hào)： IS45S32400B-6BA1
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述： 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90
封裝： 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, FBGA-90
文件頁(yè)數(shù)： 59/60頁(yè)
文件大?。?/td> 642K
代理商： IS45S32400B-6BA1
PACKAGING INFORMATION
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
10/06/05
Copyright 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to
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Mini Ball Grid Array
Package Code: B (90-Ball)
mBGA - 8mm x 13mm
MILLIMETERS
INCHES
Sym. Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
N0.
Leads
90
A
A1
D
D1
E
E1
—
—
0.35
13.00 13.10
11.20
8.00
6.40
1.20
0.40
—
—
0.047
0.016
0.516
—
0.319
—
0.30
12.90
—
7.90
—
0.012 0.014
0.508 0.512
—
0.311 0.315
—
—
8.10
—
0.441
0.252
e
—
0.80
—
—
0.031
—
9 8 7 6 5 4 3 2 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
0.45 +
0.10/0.05
(90X)
D
e
e
A1
SEATING PLANE
A
D1
E1
E
Notes:
1. Controlling dimensions are in millimeters.
2. 0.8 mm Ball Pitch
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS45S32400B-6BLA1 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S32400B-6TA1 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S32400B-6TAL1 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S32400B-6TLA 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S32400B-7BA1 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS45S32400B-6BLA1 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 166MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS45S32400B-6BLA1-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 166MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS45S32400B-6TA1 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S32400B-6TAL1 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S32400B-6TLA 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
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