參數(shù)資料
型號(hào)： IS61LF102418A-6.5TQ
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
中文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
封裝： 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 5/35頁(yè)
文件大?。?/td> 281K
代理商： IS61LF102418A-6.5TQ
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. E
04/21/06
5
ISSI
IS61LF25672A IS61LF51236A IS61LF102418A
IS61VF25672A IS61VF51236A IS61VF102418A
119 BGA PACKAGE PIN CONFIGURATION-
512K
X
36
(TOP VIEW)
1
2
A
A
A
3
A
A
A
4
5
A
A
A
6
A
A
A
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQc
DQc
V
DDQ
DQc
DQc
V
DDQ
DQd
DQd
V
DDQ
DQd
DQd
NC
NC
V
DDQ
ADSP
ADSC
V
DD
NC
CE
OE
ADV
GW
V
DD
CLK
NC
BWE
A
1
*
A
0
*
V
DD
A
TCK
V
DDQ
NC
NC
DQb
DQb
V
DDQ
DQb
DQb
V
DDQ
DQa
DQa
V
DDQ
DQa
DQa
NC
ZZ
V
DDQ
DQPc
DQc
DQc
DQc
DQc
V
DD
DQd
DQd
DQd
DQd
DQPd
A
NC
TMS
Vss
Vss
Vss
BWc
Vss
NC
Vss
BWd
Vss
Vss
Vss
MODE
A
TDI
Vss
Vss
Vss
BWb
Vss
NC
Vss
BWa
Vss
Vss
Vss
NC
A
TDO
DQPb
DQb
DQb
DQb
DQb
V
DD
DQa
DQa
DQa
DQa
DQPa
A
NC
NC
Note:
* A
0
and A
1
are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
PIN DESCRIPTIONS
Symbol
A
A0, A1
ADV
Pin Name
Address Inputs
Synchronous Burst Address Inputs
Synchronous Burst Address
Advance.
Address Status Processor
Address Status Controller
Global Write Enable
Synchronous Clock
Synchronous Chip Select
Synchronous Byte Write Controls
Byte Write Enable
ADSP
ADSC
GW
CLK
CE
BW
x (x=a-d)
BWE
Symbol
OE
ZZ
MODE
TCK, TDO
TMS, TDI
NC
DQa-DQd
DQPa-Pd
V
DD
V
DDQ
Pin Name
Output Enable
Power Sleep Mode
Burst Sequence Selection
JTAG Pins
No Connect
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Power Supply
Output Power Supply
Vss
Ground
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LF102418A-6.5TQI 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-7.5B2 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-7.5B2I 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-7.5B3 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-7.5B3I 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61LF102418A-7.5B2 制造商:ISSI 制造商全稱(chēng):Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-7.5B2I 制造商:ISSI 制造商全稱(chēng):Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF102418A-7.5B3 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 1Mbx18 7.5ns Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LF102418A-7.5B3I 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LF102418A-7.5B3I-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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