參數(shù)資料
型號(hào)： IS61LF12836A-7.5B2
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
中文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 5/25頁(yè)
文件大小： 173K
代理商： IS61LF12836A-7.5B2
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00A
08/11/05
5
ISSI
IS61(64)LF12832A, IS61(64)LF12836A, IS61(64)LF25618A
IS64VF12832A, IS61(64)VF12836A, IS61(64)VF25618A
119 BGA PACKAGE PIN CONFIGURATION
256K
X
18
(TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
Note:
* A
0
and A
1
are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
1
2
A
3
A
A
A
4
5
A
A
A
6
A
7
V
DDQ
NC
NC
NC
DQa
V
DDQ
DQa
NC
V
DDQ
DQa
NC
V
DDQ
NC
DQa
NC
ZZ
V
DDQ
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQb
NC
V
DDQ
NC
DQb
V
DDQ
NC
DQb
V
DDQ
DQb
NC
NC
NC
V
DDQ
ADSP
ADSC
V
DD
NC
CE
OE
ADV
GW
V
DD
CLK
NC
BWE
A
1
*
A
0
*
V
DD
NC
NC
CE2
A
NC
DQb
NC
DQb
NC
V
DD
DQb
NC
DQb
NC
DQPb
A
A
NC
CE2
A
DQPa
NC
DQa
NC
DQa
V
DD
NC
DQa
NC
DQa
NC
A
A
NC
Vss
Vss
Vss
BWb
Vss
NC
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
MODE
A
NC
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
NC
Vss
BWa
Vss
Vss
Vss
NC
A
NC
Symbol
A
A0, A1
ADV
Pin Name
Address Inputs
Synchronous Burst Address Inputs
Synchronous Burst Address
Advance
Address Status Processor
Address Status Controller
Global Write Enable
Synchronous Clock
Synchronous Chip Select
Synchronous Byte Write Controls
Byte Write Enable
ADSP
ADSC
GW
CLK
CE
, CE2,
CE2
BW
x (x=a,b)
BWE
Symbol
OE
ZZ
MODE
NC
DQa-DQb
DQPa-Pb
V
DD
V
DDQ
Pin Name
Output Enable
Power Sleep Mode
Burst Sequence Selection
No Connect
Data Inputs/Outputs
Output Power Supply
Power Supply
Output Power Supply
Vss
Ground
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LF12836A-7.5B2I 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF12836A-7.5B3 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF12836A-7.5B3I 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF12836A-7.5TQ 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF12836A-7.5TQI 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61LF12836EC-6.5TQLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M, 3.3V, 6.5ns 128Kx36 Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LF12836EC-6.5TQLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M, 3.3V, 6.5ns 128Kx36 Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LF12836EC-7.5TQLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb, 3.3v, 7.5ns 128K x 36 Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LF12836EC-7.5TQLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb, 3.3v, 7.5ns 128K x 36 Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LF204818A 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:36Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
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