參數(shù)資料
型號: IS61LF51236A-6.5B2
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
中文描述: 512K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù): 7/35頁
文件大?。?/td> 281K
代理商: IS61LF51236A-6.5B2
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. E
04/21/06
7
ISSI
IS61LF25672A IS61LF51236A IS61LF102418A
IS61VF25672A IS61VF51236A IS61VF102418A
Note:
* A
0
and A
1
are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
1
2
3
4
5
6
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8
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10
11
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC
NC
DQPc
DQc
DQc
DQc
DQc
NC
DQd
DQd
DQd
DQd
DQPd
NC
MODE
A
A
NC
DQc
DQc
DQc
DQc
Vss
DQd
DQd
DQd
DQd
NC
NC
NC
CE
CE2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
BWc
BWb
CE2
CLK
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
A
A
1
*
A
0
*
BWE
ADSC
ADV
A
A
NC DQPb
DQb
DQb
DQb
DQb
NC
DQa
DQa
DQa
DQa
NC DQPa
A
A
NC
NC
BWd
Vss
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
Vss
A
A
BWa
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
NC
TDI
TMS
GW
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
TDO
TCK
OE
Vss
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
Vss
A
A
ADSP
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
DQb
DQb
DQb
DQb
ZZ
DQa
DQa
DQa
DQa
A
A
165 PBGA PACKAGE PIN CONFIGURATION
512K
X
36 (TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
Symbol
A
A0, A1
Pin Name
Address Inputs
Synchronous Burst Address
Inputs
Synchronous Burst Address
Advance.
Address Status Processor
Address Status Controller
Global Write Enable
Synchronous Clock
Synchronous Chip Select
ADV
ADSP
ADSC
GW
CLK
CE
,
CE2
,
CE2
BW
x (x=a,b,c,d) Synchronous Byte Write
Controls
Symbol
BWE
Pin Name
Byte Write Enable
OE
ZZ
MODE
TCK, TDO
TMS, TDI
NC
DQa-DQd
DQPa-Pd
V
DD
V
DDQ
Output Enable
Power Sleep Mode
Burst Sequence Selection
JTAG Pins
No Connect
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Power Supply
Output Power Supply
Vss
Ground
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LF51236A-6.5B2I 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF51236A-6.5B3 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF51236A-6.5B3I 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF51236A-6.5TQ 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF51236A-6.5TQI 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
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參數(shù)描述
IS61LF51236A-7.5B2 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF51236A-7.5B2I 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS61LF51236A-7.5B3 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LF51236A-7.5B3I 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LF51236A-7.5B3I-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray