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參數(shù)資料
| 型號： | IS61LF51236A-6.5TQ |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 35/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 281K |
| 代理商： | IS61LF51236A-6.5TQ |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
PK13197LQ Rev. D 05/08/03
PACKAGING INFORMATION
ISSI
TQFP (Thin Quad Flat Pack Package)
Package Code: TQ
Thin Quad Flat Pack (TQ)
Inches
Min
Max
Millimeters
Min
Millimeters
Min
Inches
Min
Symbol
Ref. Std.
No. Leads (N)
A
A1
A2
b
D
D1
E
E1
e
L
L1
C
Max
Max
Max
100
128
—
0.05
1.35
0.22
21.90
19.90
15.90
13.90
0.65 BSC
0.45
1.00 REF.
0
o
1.60
0.15
1.45
0.38
22.10
20.10
16.10
14.10
—
0.063
0.006
0.057
0.015
0.870
0.791
0.634
0.555
—
0.05
1.35
0.17
21.80
19.90
15.80
13.90
0.50 BSC
0.45
1.00 REF.
0
o
1.60
0.15
1.45
0.27
22.20
20.10
16.20
14.10
—
0.063
0.006
0.057
0.011
0.874
0.791
0.638
0.555
0.002
0.053
0.009
0.862
0.783
0.626
0.547
0.002
0.053
0.007
0.858
0.783
0.622
0.547
0.020 BSC
0.018
0.039 REF.
0
o
0.026 BSC
0.018
0.039 REF.
0
o
0.75
0.030
0.75
0.030
7
o
7
o
7
o
7
o
Notes:
1. All dimensioning and
tolerancing conforms to
ANSI Y14.5M-1982.
2. Dimensions D1 and E1 do
not include mold protrusions.
Allowable protrusion is 0.25
mm per side. D1 and E1 do
include mold mismatch and
are determined at datum
plane -H-.
3. Controlling dimension:
millimeters.
D
D1
E
E1
1
N
A2
A
A1
e
b
SEATING
PLANE
C
L1
L
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LF51236A-6.5TQI | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-7.5B2 | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-7.5B2I | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-7.5B3 | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-7.5B3I | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LF51236A-7.5B2 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-7.5B2I | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF51236A-7.5B3 | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LF51236A-7.5B3I | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LF51236A-7.5B3I-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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