參數(shù)資料
型號： IS61LPD102418A-250TQ
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數(shù)： 11/29頁
文件大?。?/td> 219K
代理商： IS61LPD102418A-250TQ
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. B
02/03/06
11
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A, IS61LPD102418A
ISSI
OPERATING RANGE (IS61LPDXXXXX)
Range
Commercial
Ambient Temperature
0°C to +70°C
V
DD
V
DDQ
3.3V + 5%
3.3 / 2.5V + 5%
Industrial
–40°C to +85°C
3.3V + 5%
3.3 / 2.5V + 5%
OPERATING RANGE (IS61VPDXXXXX)
Range
Commercial
Ambient Temperature
0°C to +70°C
V
DD
V
DDQ
2.5V + 5%
2.5V + 5%
Industrial
–40°C to +85°C
2.5V + 5%
2.5V + 5%
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Over Operating Range)
3.3V
Min.
2.5V
Min.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Max.
Max.
Unit
V
OH
Output HIGH Voltage
I
OH
= –4.0 mA (3.3V)
I
OH
= –1.0 mA (2.5V)
2.4
—
2.0
—
V
V
OL
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA (3.3V)
I
OL
= 1.0 mA (2.5V)
—
—
0.4
V
V
IH
Input HIGH Voltage
2.0
V
DD
+ 0.3
1.7
V
DD
+ 0.3
V
V
IL
Input LOW Voltage
-0.3
0.8
-0.3
0.7
V
I
LI
Input Leakage Current
Output Leakage Current Vss
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
,
Vss
≤
V
IN
≤
V
DD
(1)
-5
5
-5
5
μA
I
LO
-5
5
-5
5
μA
OE
= V
IH
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-250
MAX
-200
MAX
Symbol
Parameter
Test Conditions
Temp. range
x18
x36
x18
x36
Uni
t
I
CC
AC Operating
Supply Current
Device Selected,
OE
= V
IH
, ZZ
≤
V
IL
,
All Inputs
≤
0.2V or
≥
V
DD
– 0.2V,
Cycle Time
≥
t
KC
min.
Com.
Ind.
450
500
450
500
425
475
425
475
mA
I
SB
Standby Current
TTL Input
Device Deselected,
V
DD
= Max.,
All Inputs
≤
V
IL
or
≥
V
IH
,
ZZ
≤
V
IL
, f = Max.
Com.
Ind.
150
150
150
150
150
150
150
150
mA
I
SBI
Standby Current
CMOS Input
Device Deselected,
V
DD
= Max.,
V
IN
≤
V
SS
+ 0.2V or
≥
V
DD
– 0.2V
f = 0
Com.
Ind.
110
125
110
125
110
125
110
125
mA
I
SB
2
Sleep Mode
ZZ>V
IH
Com.
Ind.
60
75
60
75
60
75
60
75
mA
Note:
1. MODE pin has an internal pullup and should be tied to V
DD
or V
SS
. It exhibits ±100μA maximum leakage current when tied to
≤
V
SS
+ 0.2V or
≥
V
DD
– 0.2V.
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PDF描述
IS61LPD102418A-250TQI 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A-250B2I 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A-250B3 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A-250B3I 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A-250TQ 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IS61LPD102418A-250TQI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD102418A-250TQ-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD25632T/D 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 32, 256K x 36, 512K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINE, DOUBLE-CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
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