參數(shù)資料
型號(hào)： IS61LPD102418A-250TQI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 5/29頁(yè)
文件大?。?/td> 219K
代理商： IS61LPD102418A-250TQI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. B
02/03/06
5
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A, IS61LPD102418A
ISSI
Note:
* A
0
and A
1
are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
165 PBGA PACKAGE PIN CONFIGURATION
1M
X
18 (TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
1
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQb
DQb
DQb
DQb
DQPb
NC
MODE
2
A
A
NC
DQb
DQb
DQb
DQb
Vss
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
3
4
5
NC
BWa
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
NC
TDI
TMS
6
7
8
9
10
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQa
DQa
DQa
DQa
NC
A
A
11
A
NC
DQPa
DQa
DQa
DQa
DQa
ZZ
NC
NC
NC
NC
NC
A
A
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CE
CE2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
BWb
NC
Vss
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
Vss
A
A
CE2
CLK
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
A
A
1
*
A
0
*
BWE
GW
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
TDO
TCK
ADSC
OE
Vss
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
Vss
A
A
ADV
ADSP
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
Symbol
A
A0, A1
ADV
Pin Name
Address Inputs
Synchronous Burst Address Inputs
Synchronous Burst Address
Advance
Address Status Processor
Address Status Controller
Global Write Enable
Synchronous Clock
Synchronous Chip Select
Synchronous Chip Select
Synchronous Chip Select
Synchronous Byte Write
Controls
ADSP
ADSC
GW
CLK
CE
CE2
CE2
BW
x (x=a,b)
Symbol
BWE
Pin Name
Byte Write Enable
OE
ZZ
MODE
TCK, TDO
TMS, TDI
NC
DQa-DQb
DQPa-Pb
V
DD
V
DDQ
Output Enable
Power Sleep Mode
Burst Sequence Selection
JTAG Pins
No Connect
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Power Supply
Output Power Supply
Vss
Ground
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LPD25636A-250B2I 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A-250B3 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A-250B3I 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A-250TQ 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A-250TQI 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61LPD102418A-250TQI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD102418A-250TQ-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD25632T/D 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 32, 256K x 36, 512K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINE, DOUBLE-CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD25636A-200B2 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
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