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參數(shù)資料
| 型號： | IS61LPD51218A-250B3I |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 7/32頁 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | IS61LPD51218A-250B3I |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
05/09/05
7
IS61VPD25636A, IS61VPD51218A, IS61LPD25636A, IS61LPD51218A
ISSI
Note:
* A
0
and A
1
are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is
desired.
165 PBGA PACKAGE PIN CONFIGURATION
512K
X
18 (TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
1
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQb
DQb
DQb
DQb
DQPb
NC
MODE
2
A
A
NC
DQb
DQb
DQb
DQb
Vss
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
3
4
5
NC
BWa
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
NC
TDI
TMS
6
7
8
9
10
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQa
DQa
DQa
DQa
NC
A
A
11
A
NC
DQPa
DQa
DQa
DQa
DQa
ZZ
NC
NC
NC
NC
NC
A
A
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CE
CE2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
BWb
NC
Vss
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
Vss
A
A
CE2
CLK
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
NC
A
1
*
A
0
*
BWE
GW
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
NC
TDO
TCK
ADSC
OE
Vss
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
Vss
A
A
ADV
ADSP
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
Symbol
A
A0, A1
ADV
Pin Name
Address Inputs
Synchronous Burst Address Inputs
Synchronous Burst Address
Advance
Address Status Processor
Address Status Controller
Global Write Enable
Synchronous Clock
Synchronous Chip Select
Synchronous Byte Write
Controls
ADSP
ADSC
GW
CLK
CE
,
CE2
,
CE2
BW
x (x=a,b)
Symbol
BWE
Pin Name
Byte Write Enable
OE
ZZ
MODE
TCK, TDO
TMS, TDI
NC
DQx
DQPx
V
DD
V
DDQ
Output Enable
Power Sleep Mode
Burst Sequence Selection
JTAG Pins
No Connect
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
3.3V/2.5V Power Supply
Isolated Output Power Supply
3.3V/2.5V
Vss
Ground
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD51218A-250TQ | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51218A-250TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS12832A | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS12832A-200B2 | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS12836A-200TQLI | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LPD51218A-250TQ | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51218A-250TQI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51218T/D | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 32, 256K x 36, 512K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINE, DOUBLE-CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-200B3 | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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