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參數資料
| 型號： | IS61LPS51218A-200TQ |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 3.1 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數： | 4/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | IS61LPS51218A-200TQ |
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4
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
04/29/05
IS61VPS25636A, IS61LPS25636A, IS61VPS51218A, IS61LPS51218A
ISSI
119 BGA PACKAGE PIN CONFIGURATION-
256K
X
36
(TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
1
2
A
3
A
A
A
4
5
A
A
A
6
A
A
A
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQc
DQc
V
DDQ
DQc
DQc
V
DDQ
DQd
DQd
V
DDQ
DQd
DQd
NC
NC
V
DDQ
ADSP
ADSC
V
DD
NC
CE
OE
ADV
GW
V
DD
CLK
NC
BWE
A
1
*
A
0
*
V
DD
A
TCK
V
DDQ
CE2
A
DQPc
DQc
DQc
DQc
DQc
V
DD
DQd
DQd
DQd
DQd
DQPd
A
NC
TMS
NC
NC
DQb
DQb
V
DDQ
DQb
DQb
V
DDQ
DQa
DQa
V
DDQ
DQa
DQa
NC
ZZ
V
DDQ
Vss
Vss
Vss
BWc
Vss
NC
Vss
BWd
Vss
Vss
Vss
MODE
A
TDI
Vss
Vss
Vss
BWb
Vss
NC
Vss
BWa
Vss
Vss
Vss
NC
A
TDO
DQPb
DQb
DQb
DQb
DQb
V
DD
DQa
DQa
DQa
DQa
DQPa
A
NC
NC
Symbol
A
A0, A1
ADV
Pin Name
Address Inputs
Synchronous Burst Address Inputs
Synchronous Burst Address
Advance
Address Status Processor
Address Status Controller
Global Write Enable
Synchronous Clock
Synchronous Chip Select
Synchronous Byte Write Controls
Byte Write Enable
ADSP
ADSC
GW
CLK
CE
, CE2
BW
x (x=a-d)
BWE
Symbol
OE
ZZ
MODE
TCK, TDO
TMS, TDI
NC
DQa-DQd
DQPa-Pd
V
DD
V
DDQ
Pin Name
Output Enable
Power Sleep Mode
Burst Sequence Selection
JTAG Pins
No Connect
Data Inputs/Outputs
Output Power Supply
Power Supply
Output Power Supply
Vss
Ground
Note:
* A
0
and A
1
are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPS51218A-200TQ2I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS51218A-200TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS51218A-200TQLI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS51218A-250B2 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS51218A-250B2I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS61LPS51218A-200TQ2I | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS51218A-200TQI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 512Kx18 200Mhz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LPS51218A-200TQI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 512Kx18 200Mhz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LPS51218A-200TQLI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 512Kx18 200Mhz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LPS51218A-200TQLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 512Kx18 200Mhz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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