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參數(shù)資料
| 型號： | IS61LV10248-10MI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, MINI, BGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 6/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | IS61LV10248-10MI |
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
04/13/06
IS61LV10248
ISSI
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-8
-10
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2
t
LZCE
(2)
t
PU
t
PD
Parameter
Read Cycle Time
Address Access Time
Output Hold Time
CE
Access Time
OE
Access Time
OE
to High-Z Output
OE
to Low-Z Output
CE
to High-Z Output
CE
to Low-Z Output
Power Up Time
Min.
8
—
3
—
—
—
0
—
3
0
Max.
—
8
—
8
3.5
3
—
3
—
—
Min.
10
—
3
—
—
—
0
0
3
0
Max.
—
10
—
10
4
4
—
4
—
—
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Power Down Time
—
8
—
10
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 3 ns or less, timing reference levels of 1.5V, input pulse
levels of 0V to 3.0V and output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LV10248-10T | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10TI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10TLI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-8B | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-8BI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LV10248-10T | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV10248-10TI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV10248-10TI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV10248-10TLI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV10248-10TLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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