參數(shù)資料
型號： IS61LV12816LL-12BI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
中文描述： 128K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, MINI, BGA-48
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： IS61LV12816LL-12BI
IS61LV12816L, IS61LV12816LL
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
05/28/03
ISSI
WRITE CYCLE NO. 2
(1)
(
WE
Controlled,
OE
= HIGH during Write Cycle)
WRITE CYCLE NO. 3
(
WE
Controlled:
OE
is LOW During Write Cycle)
DATA UNDEFINED
LOW
t
WC
VALID ADDRESS
t
PWE1
t
AW
t
HA
HIGH-Z
t
PBW
t
HD
t
SA
t
HZWE
ADDRESS
CE
UB
,
LB
WE
D
OUT
D
IN
OE
DATA
IN
VALID
t
LZWE
t
SD
UB_CEWR2.eps
DATA UNDEFINED
t
WC
VALID ADDRESS
LOW
LOW
t
PWE2
t
AW
t
HA
HIGH-Z
t
PBW
t
HD
t
SA
t
HZWE
ADDRESS
CE
UB
,
LB
WE
D
OUT
D
IN
OE
DATA
IN
VALID
t
LZWE
t
SD
UB_CEWR3.eps
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LV12816LL-12LQI 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV12816LL-12T 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV12816LL-12TI 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV12816 128K x 16 High-Speed CMOS Static RAM(3.3V,128K x 16 高速CMOS靜態(tài)RAM)
IS61LV12824 128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
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參數(shù)描述
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IS61LV12824 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV12824-10B 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3Mb 128Kx24 10ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV12824-10BI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV12824-10BL 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3Mb 128Kx24 10ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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