參數(shù)資料
型號： IS61LV3216L-20TI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
中文描述： 32K X 16 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO44
封裝： PLASTIC, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： IS61LV3216L-20TI
IS61LV3216L
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
12/19/00
7
Notes:
1. WRITE is an internally generated signal asserted during an overlap of the LOW states on the
CE
and
WE
inputs and at least
one of the
LB
and
UB
inputs being in the LOW state.
2. WRITE = (
CE
)
[
(
LB
) = (
UB
)
]
(
WE
).
AC WAVEFORMS
WRITE CYCLE NO. 1 (
WE
Controlled)
(1,2)
UNDEFINED
UNDEFINED
t
WC
t
SCE
t
PWB
t
AW
t
HA
HIGH-Z
HIGH-Z
t
PWE
t
HD
t
SA
t
HZWE
ADDRESS
CE
LB, UB
WE
WRITE
(1)
D
OUT
D
IN
t
LZWE
t
SD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LV3216L 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216L-10K 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216L-10T 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216L-12K 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV10248 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IS61LV51216-10M 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 512Kx16 10ns 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV51216-10MI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 512Kx16 10ns 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV51216-10MI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 512Kx16 10ns 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV51216-10MLI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 512Kx16 10ns 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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