參數(shù)資料
型號： IS61NLF25636
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： SRAM
中文描述： 靜態(tài)存儲器
文件頁數(shù)： 9/20頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： IS61NLF25636
Integrated Silicon Solution, Inc.
—
1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00D
04/26/01
9
IS61NF25632
IS61NLF25632
IS61NF25636
IS61NLF25636
IS61NF51218
IS61NLF51218
ISSI
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-10
MAX
Symbol Parameter
Test Conditions
x18
x32/36
Unit
I
CC
AC Operating
Supply Current
Device Selected,
OE
= V
IH
, ZZ
≤
V
IL
,
All Inputs
≤
0.2V
OR
≥
V
CC
–
0.2V,
Cycle Time
≥
t
KC
min.
Com.
I
ND
.
300
350
300
350
mA
I
SB
Standby Current Device Deselected,
TTL Input
V
CC
= Max.,
All Inputs
≤
0.2V
OR
≥
V
CC
–
0.2V,
ZZ
≤
V
IL
, f = Max.
Standby Current Device Deselected, Com.
CMOS Input
V
CC
= Max.,
V
IN
≤
GND + 0.2V or
≥
V
CC
–
0.2V
f = 0
C
OM
.
Ind.
80
90
80
90
mA
I
SBI
20
25
20
25
mA
Ind.
Note:
1. MODE pin has an internal pullup and should be tied to Vcc or GND. It exhibits ±30 μA maximum leakage current
when tied to
≤
GND + 0.2V or
≥
Vcc
–
0.2V.
OPERATING RANGE
Range
Ambient Temperature
V
CC
V
CCQ
Commercial
0
°
C to +70
°
C
3.3V ± 5%
3.3V ± 5%
3.3V ± 5%
2.5V ± 5%
Industrial
-40
°
C to +85
°
C
3.3V ± 5%
3.3V ± 5%
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Over Operating Range)
2.5V
3.3V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
V
OH
Output HIGH Voltage
I
OH
=
–
4.0 mA (3.3V)
I
OH
= 1.0 mA
2.0
—
2.4
—
V
(2.5V)
V
OL
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA (3.3V)
I
OL
= 1.0 mA (2.5V)
—
0.4
—
0.4
V
V
IH
Input HIGH Voltage
1.7
V
CC
+ 0.3
2.0
V
CC
+ 0.3
V
V
IL
Input LOW Voltage
–
0.3
0.7
–
0.3
0.8
V
I
LI
Input Leakage Current
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
(1)
GND
≤
V
OUT
≤
V
CCQ
,
OE
= V
I
–
5
5
–
5
5
μA
I
LO
Output Leakage Current
–
5
5
–
5
5
μA
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