型號(hào): | IS61NLP12836-5TQI |
廠商: | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
元件分類(lèi): | DRAM |
英文描述: | PIPELINE NO WAIT STATE BUS SRAM |
中文描述: | 128K X 36 ZBT SRAM, 5 ns, PQFP100 |
封裝: | TQFP-100 |
文件頁(yè)數(shù): | 12/20頁(yè) |
文件大小: | 154K |
代理商: | IS61NLP12836-5TQI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IS61NLP25618 | PIPELINE NO WAIT STATE BUS SRAM |
IS61NLP25618-133B | PIPELINE NO WAIT STATE BUS SRAM |
IS61NLP25618-133TQ | PIPELINE NO WAIT STATE BUS SRAM |
IS61NLP25618-5B | PIPELINE NO WAIT STATE BUS SRAM |
IS61NLP25618-5TQ | PIPELINE NO WAIT STATE BUS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IS61NLP12836A-200TQI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
IS61NLP12836A-200TQI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
IS61NLP12836A-200TQLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
IS61NLP12836A-200TQLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
IS61NLP12836B-200B2LI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |