參數(shù)資料
型號(hào)： IS62WV10248BLL-55BI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述： 1M X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA48
封裝： 7.20 X 8.70 MM, MINI, BGA-48
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： IS62WV10248BLL-55BI
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
03/17/06
IS62WV10248BLL
ISSI
AC WAVEFORMS
READ CYCLE NO. 1
(1,2)
(Address Controlled) (
CS1
=
OE
= V
IL
,
CS2 =
WE
= V
IH
)
DATA VALID
PREVIOUS DATA VALID
t
AA
t
OHA
t
OHA
t
RC
D
OUT
ADDRESS
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
55 ns
70 ns
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS1/
t
ACS2
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCS1/
t
HZCS2
(2)
t
LZCS1/
t
LZCS2
(2)
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 1.5V, input pulse
levels of 0.4V to V
DD
-0.3V and output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
55
—
70
—
ns
Address Access Time
—
55
—
70
ns
Output Hold Time
10
—
10
—
ns
CS1/
CS2 Access Time
—
55
—
70
ns
OE
Access Time
—
25
—
35
ns
OE
to High-Z Output
—
20
—
25
ns
OE
to Low-Z Output
5
—
5
—
ns
CS1/
CS2 to High-Z Output
0
20
0
25
ns
CS1/
CS2 to Low-Z Output
10
—
10
—
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IS62WV10248BLL-55BLI(U880A) 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS62WV10248BLL-55BLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 1Mbx8 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS62WV10248BLL-70BI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
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