參數(shù)資料
型號： IS62WV10248BLL-70BI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述： 1M X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48
封裝： 7.20 X 8.70 MM, MINI, BGA-48
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： IS62WV10248BLL-70BI
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
03/17/06
IS62WV10248BLL
ISSI
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Unit
V
DR
V
DD
for Data Retention
See Data Retention Waveform
V
DD
= 1.2V,
CS1
≥
V
DD
– 0.2V
See Data Retention Waveform
1.2
3.6
V
I
DR
Data Retention Current
—
20
μA
t
SDR
Data Retention Setup Time
0
—
ns
t
RDR
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
—
ns
DATA RETENTION WAVEFORM (
CS1
Controlled)
DATA RETENTION WAVEFORM (CS2 Controlled)
V
DD
CS1
≥
V
DD
-
0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CS1
GND
3.0V
2.2V
Data Retention Mode
V
DD
CS2
≤
0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
0.4V
CS2
GND
3.0
2.2V
Data Retention Mode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS62WV10248BLL-70XI 1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816BLL-55BLI 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816BLL-55B2I 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816ALL 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
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IS62WV10248DBLL-55TLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 8M (1Mx8) 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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