參數(shù)資料
型號： IS62WV12816BLL-55TI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述： 128K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44
封裝： 0.400 INCH, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 10/17頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： IS62WV12816BLL-55TI
IS62WV12816ALL, IS62WV12816BLL
ISSI
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
06/08/05
AC WAVEFORMS
WRITE CYCLE NO. 1
(1,2)
(
CS1
Controlled,
OE
= HIGH or LOW)
DATA-IN VALID
DATA UNDEFINED
t
WC
t
SCS1
t
SCS2
t
AW
t
HA
t
PWE
t
HZWE
HIGH-Z
t
LZWE
t
SA
t
SD
t
HD
ADDRESS
CS1
CS2
WE
DOUT
DIN
LB
,
UB
t
PWB
Notes:
1. WRITE is an internally generated signal asserted during an overlap of the LOW states on the
CS1
, CS2 and
WE
inputs and at
least one of the
LB
and
UB
inputs being in the LOW state.
2. WRITE = (
CS1
) [ (
LB
) = (
UB
) ] (
WE
).
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PDF描述
IS62WV12816BLL-55TLI 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816ALL-70B2I Circular Connector; No. of Contacts:6; Series:MS27497; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:10; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle RoHS Compliant: No
IS62WV12816ALL-70BI 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816ALL-70T 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV12816ALL-70TI 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
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參數(shù)描述
IS62WV12816BLL-55TI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mb 128Kx16 55ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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IS62WV12816DALL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
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