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參數(shù)資料
| 型號： | IS62WV5128BLL-70H |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 |
| 封裝： | STSOP1-32 |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | IS62WV5128BLL-70H |
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
04/30/03
IS62WV5128ALL, IS62WV5128BLL
ISSI
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Unit
V
DR
V
DD
for Data Retention
See Data Retention Waveform
V
DD
= 1.2V,
CS1
≥
V
DD
– 0.2V
See Data Retention Waveform
1.2
3.6
V
I
DR
Data Retention Current
—
15
μA
t
SDR
Data Retention Setup Time
0
—
ns
t
RDR
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
—
ns
DATA RETENTION WAVEFORM (
CS1
Controlled)
V
DD
CS1
≥
V
DD
-
0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CS1
GND
Data Retention Mode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62WV5128BLL-70HI | 512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV5128BLL-70T | 512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416ALL | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416ALL-55B | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416ALL-55B2I | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS62WV5128BLL-70HI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 70ns 32-Pin STSOP-I |
| IS62WV5128BLL-70T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV5128BLL-70T2 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV5128BLL-70TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV5128DALL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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