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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS62WV6416ALL-55B |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 64K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/17頁(yè) |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | IS62WV6416ALL-55B |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
06/03/05
3
IS62WV6416ALL, IS62WV6416BLL
ISSI
TRUTH TABLE
I/O PIN
Mode
WE
CS1
CS2
OE
LB
UB
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
V
DD
Current
Not Selected
X
X
X
H
X
X
X
L
X
X
X
X
X
X
H
X
X
H
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
Output Disabled
H
H
L
L
H
H
H
H
L
X
X
L
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
I
CC
I
CC
Read
H
H
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
L
H
L
H
L
L
D
OUT
High-Z
D
OUT
High-Z
D
OUT
D
OUT
I
CC
Write
L
L
L
L
L
L
H
H
H
X
X
X
L
H
L
H
L
L
D
IN
High-Z
D
IN
D
IN
I
CC
High-Z
D
IN
OPERATING RANGE (V
DD
)
Range
Commercial
Industrial
Ambient Temperature
0°C to +70°C
–40°C to +85°C
IS62WV6416ALL
1.7V - 2.2V
1.7V - 2.2V
IS62WV6416BLL
2.5V - 3.6V
2.5V - 3.6V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
V
TERM
V
DD
T
STG
P
T
Parameter
Terminal Voltage with Respect to GND
V
DD
Related to GND
Storage Temperature
Power Dissipation
Value
Unit
V
V
°C
W
–0.2 to V
DD
+0.3
–0.2 to +3.8
–65 to +150
1.0
Note:
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the device. This is a
stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62WV6416ALL-55B2I | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416ALL-55BI | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416ALL-55BLI | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416ALL-55T | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416ALL-55TI | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS62WV6416ALL-55B2I | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416ALL-55BI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1M (64Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV6416ALL-55BI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1M (64Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV6416ALL-55BLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1M (64Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV6416ALL-55BLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1M (64Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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