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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS62WV6416ALL-55T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 64K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | IS62WV6416ALL-55T |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
06/03/05
13
IS62WV6416ALL, IS62WV6416BLL
ISSI
DATA RETENTION WAVEFORM
(
CS1
Controlled)
V
DD
CS1
≥
V
DD
- 0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CS1
GND
Data Retention Mode
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
Parameter
V
DD
for Data Retention
Test Condition
See Data Retention Waveform
V
DD
= 1.2V,
CS1
≥
V
DD
– 0.2V
See Data Retention Waveform
Min.
1.2
Max.
3.6
Unit
V
Data Retention Current
—
5
μA
Data Retention Setup Time
0
—
ns
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
—
ns
DATA RETENTION WAVEFORM
(CS2 Controlled)
V
DD
CS2
≤
0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
0.4V
CE2
GND
Data Retention Mode
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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