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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS62WV6416ALL |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 64K的× 16低電壓，超低功耗的CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | IS62WV6416ALL |
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8
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
06/03/05
IS62WV6416ALL, IS62WV6416BLL
ISSI
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
45 ns
Min.
55 ns
Max.
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS1/
t
ACS2
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCS1/
t
HZCS2
(2)
t
LZCS1/
t
LZCS2
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
Parameter
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
45
—
55
—
ns
Address Access Time
—
45
—
55
ns
Output Hold Time
10
—
10
—
ns
CS1/
CS2 Access Time
—
45
—
55
ns
OE
Access Time
—
20
—
25
ns
OE
to High-Z Output
—
15
—
20
ns
OE
to Low-Z Output
5
—
5
—
ns
CS1/
CS2 to High-Z Output
0
15
0
20
ns
CS1/
CS2 to Low-Z Output
10
—
10
—
ns
LB
,
UB
Access Time
—
45
—
55
ns
LB
,
UB
to High-Z Output
0
15
0
20
ns
LB
,
UB
to Low-Z Output
0
—
0
—
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 0.9V/1.5V, input pulse levels of 0.4 to
V
DD
-0.2V/V
DD
-0.3V and output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62WV6416ALL-55B | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416ALL-55B2I | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416ALL-55BI | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416ALL-55BLI | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416ALL-55T | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS62WV6416ALL-55B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416ALL-55B2I | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416ALL-55BI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1M (64Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV6416ALL-55BI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1M (64Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV6416ALL-55BLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1M (64Kx16) 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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