參數(shù)資料
型號： IS62WV6416BLL-55BLI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48
文件頁數(shù)： 13/17頁
文件大小： 116K
代理商： IS62WV6416BLL-55BLI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
06/03/05
13
IS62WV6416ALL, IS62WV6416BLL
ISSI
DATA RETENTION WAVEFORM
(
CS1
Controlled)
V
DD
CS1
≥
V
DD
- 0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CS1
GND
Data Retention Mode
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
Parameter
V
DD
for Data Retention
Test Condition
See Data Retention Waveform
V
DD
= 1.2V,
CS1
≥
V
DD
– 0.2V
See Data Retention Waveform
Min.
1.2
Max.
3.6
Unit
V
Data Retention Current
—
5
μA
Data Retention Setup Time
0
—
ns
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
—
ns
DATA RETENTION WAVEFORM
(CS2 Controlled)
V
DD
CS2
≤
0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
0.4V
CE2
GND
Data Retention Mode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS62WV6416BLL-55TI 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
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IS63LV1024-8KL 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024L-10HL 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
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參數(shù)描述
IS62WV6416BLL-55BLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb 64Kx16 55ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS62WV6416BLL-55TI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb 64Kx16 55ns 2.5v-3.6v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS62WV6416BLL-55TI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb 64Kx16 55ns 2.5v-3.6v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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