參數(shù)資料
型號： IS62WV6416BLL-55TI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44
封裝： PLASTIC, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 4/17頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： IS62WV6416BLL-55TI
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
06/03/05
IS62WV6416ALL, IS62WV6416BLL
ISSI
CAPACITANCE
(1)
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
8
pF
C
OUT
Input/Output Capacitance
V
OUT
= 0V
10
pF
Note:
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Over Operating Range)
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
DD
Min.
Max.
Unit
V
OH
Output HIGH Voltage
I
OH
= -0.1 mA
I
OH
= -1 mA
1.7-2.2V
2.5-3.6V
1.4
2.2
—
—
V
V
V
OL
Output LOW Voltage
I
OL
= 0.1 mA
I
OL
= 2.1 mA
1.7-2.2V
2.5-3.6V
—
—
0.2
0.4
V
V
V
IH
Input HIGH Voltage
1.7-2.2V
2.5-3.6V
1.4
2.2
V
DD
+ 0.2
V
DD
+ 0.3
V
V
V
IL(1)
Input LOW Voltage
1.7-2.2V
2.5-3.6V
–0.2
–0.2
0.4
0.6
V
V
I
LI
Input Leakage
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
, Outputs Disabled
–1
1
μA
I
LO
Output Leakage
–1
1
μA
Notes:
1. V
IL
(min.) = –1.0V for pulse width less than 10 ns.
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PDF描述
IS62WV6416BLL-55TLI 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
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IS63LV1024-8KL 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024L-10HL 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
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參數(shù)描述
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IS62WV6416BLL-55TLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mb 64Kx16 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS62WV6416DALL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV6416DALL/DBLL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
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