- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377572 > IS62WV6416BLL-55TLI (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS62WV6416BLL-55TLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 64K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | IS62WV6416BLL-55TLI |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)當(dāng)前第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
06/03/05
IS62WV6416ALL, IS62WV6416BLL
ISSI
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
45 ns
Min.
55 ns
Max.
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS1/
t
ACS2
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCS1/
t
HZCS2
(2)
t
LZCS1/
t
LZCS2
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
Parameter
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
45
—
55
—
ns
Address Access Time
—
45
—
55
ns
Output Hold Time
10
—
10
—
ns
CS1/
CS2 Access Time
—
45
—
55
ns
OE
Access Time
—
20
—
25
ns
OE
to High-Z Output
—
15
—
20
ns
OE
to Low-Z Output
5
—
5
—
ns
CS1/
CS2 to High-Z Output
0
15
0
20
ns
CS1/
CS2 to Low-Z Output
10
—
10
—
ns
LB
,
UB
Access Time
—
45
—
55
ns
LB
,
UB
to High-Z Output
0
15
0
20
ns
LB
,
UB
to Low-Z Output
0
—
0
—
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 0.9V/1.5V, input pulse levels of 0.4 to
V
DD
-0.2V/V
DD
-0.3V and output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS63LV1024-12KL | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT |
| IS63LV1024-8KL | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT |
| IS63LV1024L-10HL | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT |
| IS63LV1024L-10JLI | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT |
| IS63LV1024L-10KLI | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS62WV6416BLL-55TLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb 64Kx16 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV6416DALL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416DALL/DBLL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV6416DBLL-45B2LI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb, 64Kx16, 45ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV6416DBLL-45B2LI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb, 64Kx16, 45ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。