參數(shù)資料
型號: IS63WV1024BLL-12BLI
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
中文描述: 128K X 8 STANDARD SRAM, 12 ns, PBGA48
封裝: 6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48
文件頁數(shù): 6/17頁
文件大?。?/td> 135K
代理商: IS63WV1024BLL-12BLI
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
05/10/06
ISSI
IS63WV1024BLL
IS64WV1024BLL
AC TEST CONDITIONS
Parameter
Unit
Unit
(2.5V-3.6V)
0V to V
DD
V
1.5ns
V
DD
/2
(3.3V + 10%)
0V to V
DD
V
1.5ns
V
DD
/2 + 0.05
Input Pulse Level
Input Rise and Fall Times
Input and Output Timing
and Reference Level (V
Ref
)
Output Load
See Figures 1a and 1b
See Figures 1a and 1b
AC TEST LOADS
Figure 1a.
Figure 1b.
30 pF
Including
jig and
scope
Zo=50
Ω
OUTPUT
V
Ref
50
Ω
319
Ω
5 pF
Including
jig and
scope
353
Ω
OUTPUT
2.5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS63WV1024BLL-12HI 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS63WV1024BLL-12HLI 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS63WV1024BLL-12JI 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS63WV1024BLL-12BLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1M (128Kx8) 12ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS63WV1024BLL-12HI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS63WV1024BLL-12HLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mb 128Kx8 12ns/3.3V Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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