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參數(shù)資料
| 型號： | IS63WV1024BLL-12JI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
| 文件頁數(shù)： | 5/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 135K |
| 代理商： | IS63WV1024BLL-12JI |
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
05/10/06
5
ISSI
IS63WV1024BLL
IS64WV1024BLL
CAPACITANCE
(1)
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Input/Output Capacitance
V
OUT
= 0V
8
pF
Note:
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-12 ns
Options
-15 ns
Min.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Max.
Unit
I
CC
V
DD
Dynamic Operating
Supply Current
V
DD
= Max.,
I
OUT
= 0 mA, f = f
MAX
COM
.
IND
.
—
—
—
—
35
45
60
20
—
—
—
—
30
40
50
20
mA
AUTO
typ.
(2)
I
CC
1
Operating Supply
Current
V
DD
= Max.,
Iout = 0mA, f = 0
COM
.
IND
.
—
—
—
5
5
5
—
—
—
5
5
5
mA
AUTO
I
SB
1
TTL Standby Current
(TTL Inputs)
V
DD
= Max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
COM
.
IND
.
—
—
—
3
4
4
—
—
—
3
4
4
mA
AUTO
I
SB
2
CMOS Standby
Current (CMOS Inputs)
V
DD
= Max.,
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or
V
IN
≤
0.2V, f = 0
COM
.
IND
.
AUTO
typ.
(2)
—
—
—
—
20
50
75
6
—
—
—
—
20
50
75
6
uA
Note:
1. At f = f
MAX
, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.
2. Typical values are measured at V
DD
=2.5V, T
A
=25
o
C. Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS63WV1024BLL-12JLI | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS63WV1024BLL-12TI | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS63WV1024BLL-12TLI | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS64WV1024BLL | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS64WV1024BLL-15BA3 | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS63WV1024BLL-12JLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1M (128Kx8) 12ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS63WV1024BLL-12JLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1M (128Kx8) 12ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS63WV1024BLL-12TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS63WV1024BLL-12TLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb 128Kx8 12ns/3.3V Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS63WV1024BLL-12TLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb 128Kx8 12ns/3.3V Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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